↑編集:2022.12.30 by 雨宮徹也。作成:2002 by 雨宮徹也。
編集歴:
「部品表記」各文書は、電子部品のと表記(票印)との対応を示しています。
記載部品は主にチップ部品ですが、型名と票印文字が一致しない部品はできるだけ記載するようにしています。
部品の種類は星の数ほど存在しますので、全てを載せるのは不可能です…ご了承下さい。
この文書で該当する部品が見つかっても、最終的には実際にデータシートなどを観て確認した方が良いでしょう。
あと、文書作成者本人の知識が至らない所が有りまして、文書表記、意味に異なる部分が有る可能性があります。悪しからず…。
文字は、表現の関係の都合で、全角文字で表記しています。
| zH←全角文字 |
など。
日付は「/YYYYMMDD」「/YYYY.MM.DD」で表します。YY=西暦年の下2桁。YYYY=西暦4桁。MM=月。DD=日。日付は資料の更新日付又はファイル更新日付。
ですが、PDF資料だと更新日だと保存した日になってしまうようで、記載しようか悩んでいます。
「PDF」=PDF資料。「紙」=紙資料。「HP」=ホームページなど。
「¶」がついている所は、「不明」「編集中」を意味します。「調べる必要があるだろう…」の意味もあります。「¶」の右側の文は不明な理由などを記載。つまり、
| 2SC123 | AB¶方向 |
「?」が付いている所は、「確実でない」を意味します。
「※レディオ」はレディオテクニカさんから得た内容です(これの記入漏れもあります)。多少、内容不明な個所があります。票印を自分で確認した場合はこの記載は消しています。
「μ」(ミュー、マイクロ)は「u」(ユー。半角英小文字)で現しています。
例:「uPC…」。外形「uMAX」。単位「100uA」(100マイクロアンペア)。
以下の様な文字、書体を使用しています。書体は何れもWindows標準でしょう。この条件に合わない場合はご了承下さい。
カタログ、データシート、データBook、PDF資料を元にして作成しました。これらの資料自体に多少誤りが存在します。間違いが判明した箇所は修正しています。
一部のPDF文書でエラーが発生したものが有りました。この場合、AcrobatReader5にしたら読み込めました。こういうケースがありますので参考に…。
部品の端子を除いた寸法で表示しています。( )内はリード、突起物を含めた寸法。
チップ部品では端子を上下に置いて見て「横×縦(+端子)×高さ」。
チップ型ダイオードでは端子を左右に置いて同じく「横(+端子)×縦×高さ」。
ダイオードのガラス封止タイプも同じくリードを左右にして「横(+リード)×縦」で「縦」には「φ」が付くのが通常となります。
トランジスタなどの基板に立てて実装するタイプでは、立てて「横×縦(+リード分)×厚み」。リードには基板までの分と、延長部分があります。
半角で表示。とにかく、製品は星の数ほど存在する訳で、全メーカーのを記載する事は不可能です。
検索がし易いように全角文字にしています。Tr で hFE 区分も票印しているものなどでも、「(全角文字)□」と検索できるようにしています…できるだけ…。
製品によっては、番号の周りにドットが幾つか付くものも存在しますが、詳細は不明にて省略。ロット関係の表示でしょう。
小チップ部品では全角です。
票印があまり明確でない製品や、そのまま製品名になっている感じの場合は半角を使う事があります。
←帯は画像A
![]() A4 |
A4![]() |
外形が自立型のTrやFET(例:「2SC…」「2SK…」などは、通常、頭の「2S」が省かれて票印されるのが一般的です。これでおよその製品名の判別が可能なので、票印方向はピン配置表記と異なる事もあります。
IC などでは、頭の文字を省いただけの票印が有るようです。
メーカーに独自の呼び名が有る場合があります。
「SC-59」「SOT-23」などと有りますが、規格自体が「範囲」のようなので、各メーカーで多少異なります。その違いによりメーカー判別が可能な事もあります。
票印を見たときのピン(電極)の配置を示します。
太字はピンが太いという意味です。「タブ(C)」など。
方向が不明な場合は「¶」が記してあります。
同じような外形でもメーカーによりピン番号配置が異なる場合がありますので注意。
| 端子名 | 意味 |
|---|---|
| A | アノード |
| K | カソード |
| B | ベース |
| C | コレクター(ダイオードの場合はコモン(共通)) |
| E | エミッター |
| G | ゲート |
| D | ドレイン |
| S | ソース |
| I | 入力(R内蔵:メーカーでは殆ど「B」と表記) |
チップ型 3pin のピン配置は、例えば、
A C K
と記載していますが、実際は、
C(3)
(1)A K(2)
と、この様な接続です。( )内はピン番号。
更に複雑な構成があります。表記が難しい場合は図で示しています。
端子の配置や備考を記載しています。
(標)=標準品。(標2)=準標準品。(特)=特殊品。票印の所に記載する事もあります。この様に記載してある場合は、「標準品」以外はカスタム品となります。「準標準品」はカスタム品に当てはまるのかは不明。
| 記号 | 意味 |
|---|---|
| As | 砒素(材料)。 |
| BD | ブリッジ・ダイオード(品種、構成)。 |
| CMOS | ComplementaryMOS。Nch、Pchが対になったMOS。 |
| D | ダイオード(品種)。 |
| Div. | デヴァイダー。割り算。 |
| E | エピタキシャル。 |
| EP | エピタキシャル・プレーナー。 |
| ESD | ElectroStatic Discharge。静電気放電。 |
| FET | 電界効果トランジスター(品種)。 |
| FRD | ファースト・リカバリー・ダイオード(構造?品種?)。 |
| Ga | ガリウム(材料)。 |
| Ge | ゲルマニウム(材料)。 |
| GTO | (Gate Turn Off)。サイリスタの一種(品種)。 |
| HED | High Efficiency(高効率)ダイオード。 |
| HJ-FET | Hetero Junction FET。 |
| IGBT | (アイジービーティー)。トランジスタの一種(品種)。 |
| J | 接合型。 |
| LD-MOS | lateral-diffusion-MOS。 |
| MOS | 金属酸化物半導体。 |
| Nch | Nチャンネル。 |
| NFET | Nch接合型FET。 |
| NMOS | NチャンネルMOS-FET。 |
| P | ポイント・コンタクト。 |
| P-C | フォトカプラー |
| Pch | Pチャンネル。 |
| PFET | Pch接合型FET。 |
| PIN | ¶。 |
| Pl | プレーナ。 |
| PMOS | PチャンネルMOS-FET。 |
| R内蔵 | 抵抗内蔵(構成)。 |
| SBD | Shottky Barrierダイオード(品種?、構造?)。 |
| SCR | サイリスタ(品種)。 |
| Si | シリコン(材料)。 |
| Tr | トランジスタ(品種)。 |
| TRIAC | トライアック(品種)。 |
| VCD | 可変容量ダイオード(品種)。 |
| ZD | ツェナー・ダイオード(品種)。 |
| エン | エンハンスメント(動作モード)。 |
| SBD。 | ショットキー・バリアー型(¶構造?)。 |
| トレンチSBD | トレンチ・ショットキー・バリアー型(¶構造?、詳細不明)。 |
ショットキバリアダイオード: (東芝より)他のダイオードに比べ逆方向漏れ電流が大きく使用する温度・電圧により、熱暴走を生じ破壊に陥る場合があります。
| 記号 | 意味 |
|---|---|
| A-MPX | アナログ・マルチプレックサ。 |
| A-Sw | アナログ・スイッチ。 |
| AF | オーディオ周波数、低周波(領域) |
| AFC | 自動周波数制御¶。 |
| AGC | 自動利得制御¶?。 |
| ALC | 自動レベル制御。 |
| Amp | 増幅器。 |
| AntSw | アンテナ・スイッチ。 |
| ATT | アッテネーター(減衰器)。 |
| Bat. | バッテリー |
| BusSw | バス・スイッチ。 |
| CONV | 周波数変換。 |
| Conv | 変換器。 |
| COMP | コンパレーター。 |
| CUNT | カウンター。 |
| DD | ダンパー ダイオード。 |
| DC-DC | DC-DCコンバーター。 |
| DRV | ドライバー。 |
| FF | フリップ・フロップ。 |
| FM | 周波数変調。ここではFMラジオ周波数領域。 |
| HG | High-Gain。 |
| HPA | 高出力¶?。 |
| i/f | インタフェース。 |
| IF | 中間周波数増幅。 |
| LN | 低雑音(特性)。 |
| INV(ST) | 論理反転(シュミットトリガ入力)。 |
| INV(UB) | 論理反転(アン・バッファ(バッファなし))。 |
| LAT | ラッチ。 |
| LDO | LowDropOut。 |
| MIX | 周波数混合。 |
| MOD | 変調、周波数変調(モジュレーター)。 |
| MPX | マルチプレクサー。 |
| MUT | ミューティング。 |
| NCD | ノイズ・クリッピング・ダイオード(構造?用途?)。 |
| OpAmp | オペアンプ。 |
| OSC | 局部発振。 |
| Osc | 発振。 |
| PA | 電力増幅。 |
| PFM | パルス周波数変調¶。 |
| PHS | PHS方式電話周波数領域。 |
| PLL | フェイズ・ロックド・ループ(満ち欠けによる同期?)。 |
| PM-Sw | パワー・マネジメント・スイッチ。 |
| PreAmp | プリアンプ。 |
| PWM | パルス幅変調(方式)。 |
| R | 電源整流。 |
| RCV | レシーバー。 |
| RD | 電源整流ダイオード。 |
| REG | レギュレーター(安定器)。 |
| REGI | レジスター。 |
| RF | 高周波(ラジオ周波数)(領域)。Tr以外は単なる「高周波」の意味。 |
| RTC | リアルタイムクロック。 |
| SHF | 周波数領域(詳細省く)。 |
| SHV | ¶周波数領域。 |
| SPDT-Sw | SPDTスイッチ¶詳細不明。 |
| SW | スイッチング。 |
| Swd-Cap | Switched-Capacitor。 |
| TIM | タイマー。 |
| VHF | VHF領域(波長λ=10m~1m)。 |
| UHF | UHF領域(波長λ=1m~10cm)。 |
| V-Inv | 電圧反転器。 |
| V-REG | 電圧安定器。 |
| V-REF | 基準電圧源。 |
| VCO | 電圧可変発振。 |
| V制 | 電圧制御。 |
| WDT | ウォッチ ドグ タイマー。 |
| 増 | 増幅。 |
| 小PA | 小電力増幅。 |
| 中PA | 中電力増幅。 |
| 定V | 定電圧。 |
説明や更新日時などを記載。
「IF」を「IF」と縮小文字で表示していない事もあります。
| IC | コレクタ電流(示している値は最大定格)。 |
|---|---|
| IF | 順電流(平均)(最大定格)。 |
| P | 許容損失(最大定格)。 |
| RIB | 抵抗内蔵Trに於ける、入力‐内部ベース間の抵抗。
メーカーでは殆ど「R1」と表記しています。 |
| RBE | ベース‐エミッタ間の抵抗。
メーカーでは殆ど「R2」と表記しています。 |
| VCEO | コレクタ‐エミッタ間の電圧(最大定格)。 |
| VRRM | ピーク繰り返し逆電圧(最大定格)。 |
| Vz | ツェナー電圧。 |
| ☆ | 保守品。 |
| ★ | 生産中止品。 |
検索に関する画面が画面右上部にあります。票印部のみ検索できます。票印部以外はブラウザーの[Ctrl]+[F]による検索を利用してください。
検索キーワード入力で全角文字を入力し、
検索キーワードが入力してあれば、
で、検索できます。
テスターで極性を調べる場合、抵抗測定レンジで、内蔵の電池による電圧は1.5V×2=3Vが供給される。テスターの種類によっては「×10kΩ」レンジで 1.5V×2+9V=12V が供給されるのもある。半導体や電解コンデンサーに掛ける電圧にこの電圧がどう影響するか…?。
電解Cの場合は耐圧4Vのがあり、これ以上電圧を掛けるのは問題でしょう。テスターの抵抗測定レンジで電圧を印加する場合、針が中心付近で供給電圧の1/2であるかは大変怪しい。調整VRの問題もある訳で、実際に品物に印加されている電圧は異なると考えられる。
それから、内部電源からは抵抗を通してテスター棒に出る訳で、大きいレンジでは抵抗が高い。しかし低いレンジでは小さく、10数mAとか、100mAを超える事が普通。例えば10数mAではICなどが特に破損に繋がる可能性が大きい。更に100mAを超えるようなレンジでは容量の小さい半導体を破損させる事が充分考えられる。
これらの事を考えると、「×1kΩ」のレンジが一番いいだろう。耐圧などが判明した場合は更に上のレンジを使ってhFEのチェックをしたりとか。
12V供給のテスターレンジの場合は、ZDのVzのチェックでおおよその見当が付けられる。本当は、別電源で供給して電圧測定できるといいのですが…定電流回路とか使って…。
Trでも、電圧が小さいものなどで静電気に弱いのがあるので注意。
ダイオードでは「VR=4V」(VR)などと表示していますので参考に…。
RBE =メーカーでは「R2」などと表示している。抵抗:ベース‐エミッタ間。
テスター棒の極性は、黒リードがプラスで、赤リードがマイナスです。ダイオードをチェックする場合は、黒リードをアノードに、赤リードをカソードにすれば針が振れる訳です。
そしてレンジを変えても抵抗値が同じでない。大体針は2/3辺りを指す。
接続を逆にすれば導通しない筈です…ダイオードが壊れていなければ。あと、ツェナーダイオードでは若干の導通があります。
のトランジスターの場合は、極性はダイオードと同じように調べます。
簡単な動作チェックは、
| コレクター | エミッター | ベース | |
|---|---|---|---|
| NPN型トランジスター | 黒リードと指 | 赤リード | ピンセット…つまり人体抵抗を通したプラス |
| PNP型トランジスター | 赤リードと指 | 黒リード | ピンセット…つまり人体抵抗を通したマイナス |
抵抗内蔵トランジスターの場合は人体抵抗が小さくなるような工夫をしなければならない。そうしないと針が振れない。
| ドレイン | ソース | ゲート | |
|---|---|---|---|
| Nch-FET | 黒リードと指 | 赤リード | ピンセット…つまり人体抵抗を通したプラス |
| Pch-FET | 赤リードと指 | 黒リード | ピンセット…つまり人体抵抗を通したマイナス |
この様に接続してベースの触れ方でトランジスターかFETかがわかります。
トランジスターの場合は、ベースを触れていなければ針が触れない…放せば「∞」に戻る。
FETの場合は、ゲートをちょっとだけ触ると針が振れます。再度触れていく度に針の位置が異なります。そして、ゲートを放しても針が振れ続ける。あと特殊なFETの場合は除きます。こちらはトランジスターと同じ感じでいいでしょう。
その他の種類のトランジスターは不明。
コレクター‐エミッターに接続した時に「∞」を示さず、導通する場合が多い…100kΩとか。FETでも最初から導通している場合があるので判別がやや難しいが、ゲートを触れたときの針の振れ方で判別する。
あと、加熱直後の測定は若干導通状態にあるので、必ず冷却してから行う。
ノギスなどの使用をお奨めします。
マーキングの仕方がハッキリ書いていないものが有る。ピンが左右に位置している外形図が有ってもマーキングが別表に記載され、マーキングの方向が判りません。
詳細は各メーカーのリストを参照。
レーザー刻印では、昔のTrなどは落書きのような物が多いようです。現在は殆ど綺麗。
製造ロットを現すのに、製造月文字の周りに「 ̄」、「_」、「/」、「\」を刻印する製品がある。
票印にメーカーロゴが記してある場合、その種類に2つある(1997年頃以降?からは斜体の「T」をイメージした感じ
)。
文字の左に1つ、下に4つのドット列が記してる(レーザー)のがある¶詳細不明、未確認。
レーザー刻印では、輪郭滑らかで綺麗である。番号の下に小さな点「・」がブツブツと横に並んで刻印してあるようだ。
チップ型Trでは、票印文字の間に、例:
SOT-23-5 では票印文字の上下部にドット(点)列が付く製品がある。
SOT-89 では青印刷品もあり、文字の間にピリオド「.」が付く製品がある。
印刷票印では、例:
他に、レーザー刻印では、文字部の周り(左右)に、上・中・下位置に点「・」が刻印してあるのも松下かも知れない。
印刷で、文字の周りに(左右)に、上、中、下位置に「-」が印刷してあるのが三洋かも知れない¶。
ロットなどで、文字の周りに点表示しているようだ¶詳細不明、未確認。
ロームの所を参照。製造年月を90°、-90°回転文字で刻印されている事がある。
ロットに特殊な記号の
ロット表記に反転文字の
あとは、書ききれないので、一度、全文書に目を通しておく方がいいと思います。