編集：2022.01.02 T.A.

更新状況：

石塚電子㈱（SEMITEC)

(Ishizuka Electronics Corporation)。 セムテック→HP。

定電流ダイオード（CRD）(石塚)
製品名 票印 外形 配置 概要：品種｡備考
Eシリーズ定電流ダイオード（CRD）（石塚）
最高使用電圧=100V。PDF/19971215。
E-101L 
ＩＬロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.01～0.06mA(10V)｡
E-101 
０１ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.05～0.21mA(10V)｡
E-301 
０３ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.20～0.42mA(10V)｡
E-501 
０５ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.40～0.63mA(10V)｡
E-701 
０７ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.60～0.92mA(10V)｡
E-102 
１０ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=0.88～1.32mA(10V)｡
E-152 
１５ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=1.28～1.72mA(10V)｡
E-202 
２０ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=1.68～2.32mA(10V)｡
E-272 
２７ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=2.28～3.10mA(10V)｡
E-352 
３５ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=3.00～4.10mA(10V)｡
E-452 
４５ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=3.90～5.10mA(10V)｡
E-562 
５６ロロ
(黒) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=5.00～6.50mA(10V)｡
E-822 
８２ロロ
(青) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=6.56～9.84mA(10V)｡
E-103 
１０ロロ
(青) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=8.00～12.0mA(10V)｡
E-123 
１２ロロ
(青) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=9.60～14.4mA(10V)｡
E-153 
１５ロロ
(青) 		3.9×φ1.8 
A
K
CRD｡Ip=12.0～18.0mA(10V)｡
製品名 票印 外形 配置 概要：品種｡備考
Fシリーズ定電流ダイオード（CRD）（石塚）。最高使用電圧=100V。
PDF/19971215。
F-101L 
　
(黒､淡青､白) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.01～0.06mA(10V)｡
F-101 
　
(黒､淡青､桃) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.05～0.21mA(10V)｡
F-301 
　
(黒､淡青､橙) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.20～0.42mA(10V)｡
F-501 
　
(黒､淡青､黄緑) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.40～0.63mA(10V)｡
F-701 
　
(黒､淡青､青) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.60～0.92mA(10V)｡
F-102 
　
(黒､黄緑､桃) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=0.88～1.32mA(10V)｡
F-152 
　
(黒､黄緑､橙) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=1.28～1.72mA(10V)｡
F-202 
　
(黒､黄緑､黄緑) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=1.68～2.32mA(10V)｡
F-272 
　
(黒､黄緑､淡青) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=2.28～3.10mA(10V)｡
F-352 
　
(黒､黄緑､青) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=3.00～4.10mA(10V)｡
F-452 
　
(黒､黄緑､紫) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=3.90～5.10mA(10V)｡
F-562 
　
(黒､黄緑､白) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=5.00～6.50mA(10V)｡
F-822 
　
(黒､黄緑､黄) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=6.56～9.84mA(10V)｡
F-103 
　
(黒､橙､桃) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=8.00～12.0mA(10V)｡
F-123 
　
(黒､橙､白) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=9.60～14.4mA(10V)｡
F-153 
　
(黒､橙､淡青) 		3.5×φ1.35 
A K
CRD｡Ip=12.0～18.0mA(10V)｡
サーミスタ（石塚）
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
FTサーミスタシリーズ（石塚）
103FT1005 無 1.0×0.5 10.00kΩ(25℃)
503FT1005 無 1.0×0.5 40.00kΩ(25℃)
364FT1005 無 1.0×0.5 360.0kΩ(25℃)
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
APサーミスタシリーズ（石塚）
202AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 2.00kΩ(25℃)
232AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 2.25200kΩ(25℃)
502AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 5.00kΩ(25℃)
103AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 10.0kΩ(25℃)
103AP-2-A ¶記載無 3.7×3.7 10.0kΩ(25℃)
203AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 20.0kΩ(25℃)
503AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 50.0kΩ(25℃)
104AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 100kΩ(25℃)
204AP-2 ¶記載無 3.7×3.7 200kΩ(25℃)
ATサーミスタシリーズ（石塚）
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
102AT-11 　 6×15 1.00kΩ
202AT-11 　 6×15 2.00kΩ
502AT-11 　 6×15 5.00kΩ
103AT-11 名 6×15 10.0kΩ
203AT-11 　 6×15 20.0kΩ
102AT-2 　 3.7×4 1.00kΩ
202AT-2 　 3.7×4 2.00kΩ
502AT-2 　 3.7×4 5.00kΩ
103AT-2 　 3.7×4 10.0kΩ
103AT-3 　 3.7×4-2 10.0kΩ
203AT-2 　 3.7×4 20.0kΩ
103AT-4 　 2.5×8.0 10.0kΩ
103AT-5 　 3.5×3 10.0kΩ
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
ETサーミスタシリーズ（石塚）
212ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 2.10kΩ(25℃)
402ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 4.00kΩ(25℃)
582ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 5.80kΩ(25℃)
902ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 9.00kΩ(25℃)
103ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 10.0kΩ(25℃)
203ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 20.0kΩ(25℃)
303ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 30.0kΩ(25℃)
403ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 40.0kΩ(25℃)
413ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 41.0kΩ(25℃)
503ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 5.0kΩ(25℃)
593ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 59.0kΩ(25℃)
833ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 83.0kΩ(25℃)
104ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 100kΩ(25℃)
224ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 226kΩ(25℃)
234ET 　 1.5×4、1.6×4、1.4×？ 232kΩ(25℃)
103ETB 　 1.6×4 10.0kΩ(25℃)
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
ITサーミスタシリーズ（石塚）
302IT 
３０２ ロロ
φ2.5×3 3.00kΩ(25℃)。ロロ=ﾛｯﾄ
502IT 
５０２ ロロ
φ2.5×3 5.00kΩ(25℃)
103IT 
１０３ ロロ
φ2.5×3 10.0kΩ(25℃)
203IT 
２０３ ロロ
φ2.5×3 20.0kΩ(25℃)
303IT 
３０３ ロロ
φ2.5×3 30.0kΩ(25℃)
503IT 
５０３ ロロ
φ2.5×3 50.0kΩ(25℃)
104IT 
１０４ ロロ
φ2.5×3 100kΩ(25℃)
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
KTサーミスタシリーズ（石塚）
103KT1608 　 1.6×0.8 10kΩ(25℃)
502KT1608 　 1.6×0.8 50kΩ(25℃)
104KT1608 　 1.6×0.8 100kΩ(25℃)
103KT1005 　 1.0×0.5 10kΩ(25℃)
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
HTサーミスタシリーズ（石塚）
302HT 
３０２
2.65×1.6 3.00kΩ(25℃)｡PDF/'050711
502HT 
５０２
2.65×1.6 5.00kΩ(25℃)
103HT 
１０３
2.65×1.6 10.0kΩ(25℃)
103HTF 
１０３
2.65×1.6-2 10.0kΩ(25℃)
203HT 
２０３
2.65×1.6 20.0kΩ(25℃)
303HT 
３０３
2.65×1.6 30.0kΩ(25℃)
503HT 
５０３
2.65×1.6 50.0kΩ(25℃)
503HTF 
５０３
2.65×1.6-2 50.0kΩ(25℃)
104HT 
１０４
2.65×1.6 100kΩ(25℃)
104HTF 
１０４
2.65×1.6-2 100kΩ(25℃)
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
GT-2サーミスタシリーズ（石塚）
102GT-2 　 1.35×3 1kΩ(25℃)｡PDF/'050711
202GT-2 　 1.35×3 2kΩ(25℃)｡〃
502GT-2 　 1.35×3 5kΩ(25℃)｡〃
103GT-2 　 1.35×3 10kΩ(25℃)｡〃
203GT-2 　 1.35×3 20kΩ(25℃)｡〃
503GT-2 　 1.35×3 50kΩ(25℃)｡〃
104GT-2 　 1.35×3 100kΩ(25℃)｡〃
104GTA-2 　 1.35×3 100kΩ(25℃)｡〃
204GT-2 　 1.35×3 200kΩ(25℃)｡〃
504GT-2 　 1.35×3 500kΩ(25℃)｡〃
105GT-2 　 1.35×3 1MΩ(25℃)｡〃

¶用途別品省く。

CTｻｰﾐｽﾀシリーズ　省く。

バリスタ（石塚）
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
ZSタイプVRDシリーズ。５ＡＡ=ロットNo.
ZS1012 
　
０１２
５ＡＡ
4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=12V(It=1mA)｡PDF/'050711。
ZS1015 
　
０１５
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=15V(It=1mA)｡〃
ZS1018 
　
０１８
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=18V(It=1mA)｡〃
ZS1022 
　
０２２
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=22V(It=1mA)｡〃
ZS1027 
　
０２７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=27V(It=1mA)｡〃
ZS1033 
　
０３３
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=33V(It=1mA)｡〃
ZS1039 
　
０３９
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=39V(It=1mA)｡〃
ZS1047 
　
０４７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 双方向型VRD｡VB=47V(It=1mA)｡〃
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
ZSUタイプシリーズ（石塚）。５ＡＡ=ロットNo.
ZS1012U 
 
０１２
５ＡＡ
4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=12V(It=1mA)｡PDF/'050711。
ZS1015U 
 
０１５
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=15V(It=1mA)｡〃。
ZS1018U 
 
０１８
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=18V(It=1mA)｡〃。
ZS1022U 
 
０２２
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=22V(It=1mA)｡〃。
ZS1027U 
 
０２７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=27V(It=1mA)｡〃。
ZS1033U 
 
０３３
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=33V(It=1mA)｡〃。
ZS1039U 
 
０３９
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=39V(It=1mA)｡〃。
ZS1047U 
 
０４７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 単方向型VRD｡VB=47V(It=1mA)｡〃。
製品名 票印 外形 概要：品種｡備考
ZSDタイプシリーズ（石塚）。５ＡＡ=ロットNo.
ZS1012D 
 
０１２
５ＡＡ
4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=12V(It=1mA)｡PDF/'050711。
ZS1015D 
 
０１５
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=15V(It=1mA)｡〃。
ZS1018D 
 
０１８
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=18V(It=1mA)｡〃。
ZS1022D 
 
０２２
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=22V(It=1mA)｡〃。
ZS1027D 
 
０２７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=27V(It=1mA)｡〃。
ZS1033D 
 
０３３
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=33V(It=1mA)｡〃。
ZS1039D 
 
０３９
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=39V(It=1mA)｡〃。
ZS1047D 
 
０４７
５ＡＡ
　
 		4.3×2.5 逆阻止型VRD｡VB=47V(It=1mA)｡〃。
ガスチューブアレスタ
　省く
ゼナミック
　省く

沖電気

(OKI Electronics)。

社名変更したようだ。

ラピスセミコンダクター→HP

IC（沖）
製品名 票印 外形 配置 概要：品種｡備考

4PSOP：2.8(1.9ピッチ、0.4、0.6)×1.5(3.0)×h1.1+0~0.15。
3PMMP：4.5(1.5ピッチ、0.4、0.48、1.6)×2.5(+1、計4)×h1.5(0.39)。
KGF1145 
Ｂロロ
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF-小信号2段絶縁Amp。VDS=6V、IDS=60mA。ロロ=ﾛｯﾄ数字。
KGF1146 
Ｂ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF-小信号2段絶縁Amp。VDS=6V、IDS=60mA。ﾛｯﾄ:□=数字、○=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ。
KGF1155B 
Ｍ□○
4PSOP 
　GND D
(1)G1 G2
FET回路。UHF-小信号Amp、LN。VDS=7V、IDS=60mA。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数値。
KGF1156 
Ｍ□○
4PSOP 
　GND D
(1)G1 G2
FET回路。UHF-小信号Amp、LN。VDS=7V、IDS=60mA。ﾛｯﾄ:□=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ、○=数字。
KGF1165 
Ｗ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF-中PA。VDS=7V、IDS=180mA。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数字。
KGF1175 
Ｒ□○
4PSOP¶ 
 GND D
(1)G S
FET回路。¶UHF-L帯小信号Amp、LN。VDS=7V、IDS=60mA。ﾛｯﾄ:¶□=数字、○=数字。
KGF1175B 
Ｒ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF-L帯小信号Amp、LN。VDS=7V、IDS=60mA。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数字。
KGF1181B 
Ｃ□○
4PSOP 
 GND　OUT
(1)IN VD1
FET回路。UHF帯中電力2段Amp。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数字。VDD=10V。
KGF1183 
Ｃ□○
4PSOP 
 GND　OUT
(1)IN VD1
FET回路。UHF帯中PA、2段。ﾛｯﾄ:□=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ、○=数字。VDD=10V。
KGF1191 
Ｋ□○
4PSOP 
　GND OUT
(1)IN VD1
FET回路。UHF-L帯小信号2段Amp。VDD=7V、VG=-3.0～0.4V。ﾛｯﾄ：□=数字、○=数字。
KGF1203 
Ｋ１２０３

　　□○△
8PSOP 
　 VD1 MO　GND AI
(1)MI1 MI2 GND AO
ﾊﾞﾗﾝｽMIX。UHF-UpConv。VDD=7V、ID=60mA。MI=MIX IN、AO=AMP OUT、MO=MIX OUT、AI=AMP IN。ﾛｯﾄ：□○△=¶不明。
KGF1254B 
Ｄア数
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET中電力Amp。UHF-L帯中PA、LN。VDS=10V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=360mA。
票印：Ｄ=機種名(記号)、ア=ﾛｯﾄのｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ、数=ﾛｯﾄの数字。
KGF1254 
Ｄア数
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET中電力Amp。KGF1254BとはSﾊﾟﾗﾒｰﾀｰが異なる。〃
KGF1256B 
Ｄ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF～L帯中PA、LN。ﾛｯﾄ：□=数字、○=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ。VDS=7V、VGS=-3.0～0.4V、IDS=360mA。
KGF1256 
ＤＯＰ
4PSOP 
 GND D
(1)G S
KGF1262 
Ｎ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
FET回路。UHF-L帯中PA。ﾛｯﾄ：□=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ、○=数字。VDS=10V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=360mA。
KGF1283 
Ｄ１

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=0.8A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1284 
Ｄ２

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
FET。UHF-L帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=7.0V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=0.8A。□○=ﾛｯﾄ（数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ）。
KGF1312 
Ｐ０

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=2.0A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1313 
Ｐ１

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
FET。UHF-L帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=7.0V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=2.0A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1323 
Ｐ２

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=3.0A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1323C 
Ｐ３

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。RF(1.8GHz)ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4A、IDS=3.0A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1323F 
Ｋ□

○△
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6～0.4V、IDS=3A。□○△=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1631 
Ｄ５

□○
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8V、VGS=-5～0.4V、IDS=0.8A。□○=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1633 
Ｆ□

○△
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8V、VGS=-5～0.4V、IDS=2A。□○△=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1637 
Ｂ□

○△
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8、VGS=-5.0～0.4V、IDS=4.5A。□○△=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1638 
Ｃ□

○△
3PMMP 
G
S─ﾀﾌﾞ
D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=5.5A。□○△=ﾛｯﾄ番号(数字又はｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ)。
KGF1305T 
Ｋ１３０５

□○△△
3PHTP(ｾﾗﾐｯｸ 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。(850MHz)。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=2A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1321S 
１３２１Ｓ

□○△△
3PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=3A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1322S 
１３２２Ｓ

□○△△
3PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=3A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1322 
Ｋ１３２２

□○△△
3PHTP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
FET。UHF帯ﾊﾟﾜｰ。VDS=10V、VGS=-6.0～0.4V、IDS=3A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1521 
Ｆ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
GaAsFET回路。準ﾏｲｸﾛ帯小信号Amp、LN。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数字。VDS=4.0V、VGS=-3.0～0.4V、IDS=50mA。
KGF1522 
Ｆ□○
4PSOP 
 GND D
(1)G S
GaAsFET回路。準ﾏｲｸﾛ帯小信号Amp、LN。ﾛｯﾄ:□=ｱﾙﾌｧﾍﾞｯﾄ、○=数字。VDS=4.0V、VGS=-3.0～0.4V、IDS=50mA。
KGF1531 
Ｌ□○
4PSOP 
　GND D
(1)G1 G2
GaAsFET回路。準ﾏｲｸﾛ帯小信号MIX。ﾛｯﾄ:□=数字、○=数字。VDS=4.0V、VGS=-3.0～0.4V、IDS=50mA。
KGF1607 
Ｋ１６０７

□○△△
3PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=4.5A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1608 
Ｋ１６０８

□○△△
3PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=8V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=5.5A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF1658 
Ｋ１６５８

□○△△
3PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
　(1)G
(2)S─ﾀﾌﾞ？
　(3)D
GaAsFET。850MHzﾊﾟﾜｰ。VDS=7V、VGS=-5.0～0.4V、IDS=5.5A。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号(¶文字種記載無)。
KGF2441 
Ｋ２４４１

　　□○△
8PSOP 
 GND VAGC GND　VIN
VOUT VDD3 VDD2 VDD1
GaAsFET回路。130MHzAGC-Amp。VDD1、2、3=5.5V、VIN=-3～0.4V。□○△=製品ﾛｯﾄ番号¶内容不明。
KGF2701 
Ｋ２７０１

　　□○△
8PFP(ｾﾗﾐｯｸ) 
AGC GND GND OUT
IN　GND GND VDD
回路。広帯域(0.8G～4GHz)Amp、2段。VDD=8V、全許容損失=800mW。□○△=製品ﾛｯﾄ番号¶内容不明。
KGF2702 
Ｋ２７０２

　　□○△
8PSOP 
AGC GND GND OUT
IN　GND GND VDD
回路。広帯域(0.8G～4GHz)Amp、2段。VDD=8V、全許容損失=TBD¶。□○△=製品ﾛｯﾄ番号¶内容不明。
KGL2132 
Ｋ２１３２

　　□○△
8PSOP 
REF NC　MC　GND
IN　VDD NC　OUT
2.0GHz、2ﾓｼﾞｭﾗ･ﾌﾟﾘｽｹｰﾗ、64/65分周。動VDD=2.7～3.3V。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号¶内容不明
KGL2135 
Ｋ２１３５

　　□○△
8PSOP 
REF NC　MC　GND
IN　VDD NC　OUT
1.7GHz、2ﾓｼﾞｭﾗ･ﾌﾟﾘｽｹｰﾗ、128/130分周。動VDD=2.7～3.3V。□=製造年西暦下1桁。○=製造月(１～９、Ｘ、Ｙ、Ｚ)。△=月内ﾛｯﾄ番号¶内容不明

コア

(KOA。多分、日本国内)。

製品情報→HP

チップ ヒューズ（KOA）
製品名 票印 外形 配置 概要：品種。備考
CCF1Na：チップ・ヒューズ（コア）
ボディ=白色。
票印例： 
ＫＯＡＣ
　　１Ａ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
定格電圧=AC125V DC60V。資PDF/19040414。
CCF1N0.4 
Ｈ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。400mA。〃
CCF1N0.5 
Ｆ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。500mA。〃
CCF1N0.63 
Ｉ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。630mA。〃
CCF1N0.80 
Ｋ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。800mA。〃
CCF1N1 
Ｌ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1A。〃
CCF1N1.25 
Ｍ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.25A。〃
CCF1N1.6 
Ｎ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.6A。〃
CCF1N2 
Ｓ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2A。〃
CCF1N2.5 
Ｔ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.5A。〃
CCF1N3.15 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.15A。〃
CCF1N4 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。4A。〃
CCF1N5 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。5A。〃
CCF1N6.3 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。6.3A。〃
CCF1N8 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。8A。〃
CCF1N10 
Ｕ
6.0×2.5×2.5mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。10A。〃
製品名 票印 外形 配置 概要：品種。溶断電流、内部抵抗、定格電圧。備考
CCPab：マイクロヒューズ（コア）。資PDF/20030924。
3.2×1.6×H1.2mm
3.2×2.5×H2.2mm
CCP2B15 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.5A、150mΩ、24V。
CCP2B20 
２０
3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.0A、100mΩ、〃。
CCP2B25 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.5A、75mΩ、〃。
CCP2B30 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.0A、60mΩ、〃。
CCP2B35 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.5A、50mΩ、〃。
CCP2B40 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。4.0A、45mΩ、〃。
CCP2B50 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。5.0A、35mΩ、〃。
CCP2B63 3.2×1.6×H1.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。6.3A、23mΩ、〃。
CCP2E10 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.0A、200mΩ、72V。
CCP2E13 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.3A、170mΩ、〃。
CCP2E15 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.5A、150mΩ、〃。
CCP2E20 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.0A、100mΩ、〃。
CCP2E25 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.5A、75mΩ、〃。
CCP2E30 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.0A、60mΩ、〃。
CCP2E35 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.5A、50mΩ、〃。
CCP2E38 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.8A、48mΩ、〃。
CCP2E40 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。4.0A、45mΩ、〃。
CCP2E45 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。4.5A、40mΩ、〃。
CCP2E50 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。5.0A、35mΩ、〃。
CCP2E63 3.2×2.5×H2.2mm 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。6.3A、23mΩ、〃。
製品名 票印 外形 配置 概要：品種。保持電流、最大定格電圧、最大定格電流、トリップ電流、初期抵抗値。備考
SF45a：リセッタブル・ヒューズ（コア）
票印情報なし(例)：
票印例： 
Ｋ１１０
背景=緑色。 		4.5×3.2×h0.4 
極1 極2
資PDF/19030924。
SF45N050 
極1 極2
ﾘｾｯﾀﾌﾞﾙ･ﾋｭｰｽﾞ。0.50A、6VDC、40A、1.00A、0.50Ω。
SF45N075 
極1 極2
ﾘｾｯﾀﾌﾞﾙ･ﾋｭｰｽﾞ。0.75A、6VDC、40A、1.50A、0.25Ω。開発中
SF45N110 
Ｋ１１０
 
極1 極2
ﾘｾｯﾀﾌﾞﾙ･ﾋｭｰｽﾞ。1.10A、6VDC、40A、2.20A、0.15Ω。
製品名 票印 外形 配置 概要：品種。定格電流、内部抵抗。備考
TF10ANa：チップ・ヒューズ（コア）
背景=黒色
1.0×0.5×h電極0.4。定格電圧=24V。資PDF/19040427。
TF10AN0.50 
Ｆ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.50A、320mΩ。
TF10AN0.63 
Ｉ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.63A、200mΩ。
TF10AN0.80 
Ｋ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.80A、135mΩ。
TF10AN1.00 
Ｌ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.00A、115mΩ。
TF10AN1.25 
Ｍ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.25A、90mΩ。
TF10AN1.60 
Ｎ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.60A、58mΩ。
TF10AN2.00 
Ｓ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.00A、42mΩ。
TF10AN2.50 
Ｔ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.50A、35mΩ。
製品名 票印 外形 配置 概要：品種。定格電流、内部抵抗。備考
TF16SNa：薄膜チップ・ヒューズ（コア）。
背景:黒色。1.6×0.8×h電極0.4。
定格電圧=32V。資PDF/19040414。
TF16SN0.25 
Ｃ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.25A、960mΩ。
TF16SN0.315 
Ｄ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.315A、600mΩ。
TF16SN0.40 
Ｈ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.40A、440mΩ。
TF16SN0.50 
Ｆ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.50A、300mΩ。
TF16SN0.63 
Ｉ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.63A、190mΩ。
TF16SN0.70 
Ｊ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.70A、170mΩ。
TF16SN0.80 
Ｋ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。0.80A、135mΩ。
TF16SN1.00 
Ｌ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.00A、103mΩ。
TF16SN1.25 
Ｍ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.25A、78mΩ。
TF16SN1.60 
Ｎ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。1.60A、58mΩ。
TF16SN2.00 
Ｓ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.00A、47mΩ。
TF16SN2.50 
Ｔ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。2.50A、38mΩ。
TF16SN3.15 
Ｕ
 
極1 極2
ﾋｭｰｽﾞ。3.15A、280mΩ。

ソニーセミコンダクター

製品情報→HP

ダイオード（D）（ソニー）
製品名(Sony) 票印 外形 配置 概要：品種。用途。VR、IF。備考
1T32 
●　
長四角 
K A
VCD。VHF、UHF-TV同調、AFT。30V。
1T32A 
●　
長四角 
K A
VCD。VHF、UHF-TV同調、AFT。30V。
1T33 
●　
長四角 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T33A 
●　
長四角 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T33C 
●　
長四角 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T359 
●　
長四角 
K A
VCD。ﾗｼﾞｵ、TV同調。30V。
1T360 
●　
長四角 
K A
VCD。広帯域、CATV同調。30V。
1T362A 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T363A 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T364 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。広帯域多Ch、CATV同調。30V。
1T365 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。BSﾁｭｰﾅｰ同調。30V。
1T366 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。TVﾁｭｰﾅｰ同調。30V。
1T367 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。UHF-VCO、ｺｰﾄﾞﾚｽTEL-OSC、ｾﾙﾗｰ関係OSC。15V。
1T368 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞ･ﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。30V。
1T369 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞ･ﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T378 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。UHF、ﾜｲﾄﾞ･ﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T378A 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞ･ﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T379 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。BS、CS同調。35V。
1T397 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。CATV同調。34V。
1T399 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T402 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T403 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。TV、CATV同調。30V。
1T404 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。30V。
1T405 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。UHF、ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T405A 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T406 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T407 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。CATV同調。34V。
1T408 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞCATV同調。34V。
1T409 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。UHF-VCO、ｺｰﾄﾞﾚｽTEL-OSC、ｾﾙﾗｰ関係OSC。15V。
1T410 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。BS、CS同調。35V。
1T411 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。ｱﾅﾛｸﾞｾﾙﾗｰﾎﾝ。30V。
1T412 
　
ﾁｯﾌﾟ2¶ 
K A
VCD。BS同調。30V。
トランジスタ（Tr）（ソニー）
製品名(Sony) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
SGM2006M 
Ｆ－
2.9×1.2 
G2 G1
D　 S
UHF-LN.Nch-2ｹﾞｰﾄGaAs MES FET。/HTML
FET（ソニー）
製品名(Sony) 票印 外形 配置 概要：品種。VDSS、ID。備考
3SK165 
Ｊ□
＝
Ｊ０
、
Ｊ１
、
Ｊ２
GaAsMES。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=8V、80mA。
3SK166 
Ｋ□
＝
Ｋ０
、
Ｋ１
、
Ｋ２
GaAsMES。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=8V、80mA。
SGH5002E 
＊□○
¶＝
０１
、
０２
、
０３
、
０４
、
０５
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。SHF-LN、BSﾁｭｰﾅｰ。VDS=5V、70mA。利得分類□○。
SGH5002F 
２□○
¶＝
２０１
、
２０２
、
２０３
、
２０４
、
２０５
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。ﾏｲｸﾛ波-超LN、12GHz帯DBS。VDS=5V、70mA。□○=利得分類。
SGH5003E 
＊□○
¶＝
０１
、
０２
、
０３
、
０４
、
０５
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。SHF-LN、BSﾁｭｰﾅｰ。VDS=5V、100mA。□○=利得分類。
SGH5003F 
３□○
＝
３０１
、
３０２
、
３０３
、
３０４
、
３０５
。 		AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。ﾏｲｸﾛ波-超LN、12GHz帯DBS。VDS=5V、100mA。□○=利得分類。
SGH5602E 
＊□○
¶＝
０１
、
０２
、
０３
、
０４
、
０５
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。SHF-LN、BSﾁｭｰﾅｰ。VDS=4V、70mA。□○=利得分類
SGH5612F 
１□○
＝
１０３
、
１０４
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。ﾏｲｸﾛ波-超LN、12GHz帯DBS。VDS=4V、70mA。□○=利得分類。
SGH5712F 
７
¶、
７□○
AlGaAS/GaAS、Nch-HEMT。ﾏｲｸﾛ波-超LN。VDS=4V、70mA。利得分類があるかも。
SGM2004M 
Ｅ
GaAS？Nch-MES。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=12V、55mA。
SGM2006M 
Ｆ
GaAS？Nch-MES。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=12V、55mA。
SGM2006P 
Ｆ
SGM2006Mとpin配置が異なる。〃
SGM2014M 
Ｄ
GaAS、Nch-MES、2G。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=12V、55mA。
SGM2016M 
Ｍ
GaAS、Nch-MES、2G。UHF-RF、MIX、OSC。VDSX=12V、55mA。
SGM2016P 
Ｌ
SGM2016Mとはピン配置が異なる。〃
SGM5102F 
Ｓ
GaAS、Nch-MES。C～Ku帯LN。VDGO=5V、70mA。
2SK613 
Ｕ
分類=１、２、３、４。VHF-RF-LN。VDGO=15V、50mA。
IC？（ソニー）
製品名(Sony) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
CXG1024N 
Ｇ１０２４
SSOP16 AntSw。※ﾚﾃﾞｨｵ
CXG1064TN 
Ｇ１０６４
TSSOP16 AntSw。※ﾚﾃﾞｨｵ
CXG1044N 
Ｇ１０４４
SSOP16 AntSw。※ﾚﾃﾞｨｵ
CXG1050N 
Ｇ１０５０
TSSOP16 Mix。※ﾚﾃﾞｨｵ
他（ソニー？、TESA？）
製品名(Sony) 票印 外形 概要：品種。備考
【VR-IC保護ﾋｭｰｽﾞ】
ICP-F10 
Ｆ１０
F。400mA、50V。
ICP-F15 
Ｆ１５
F。600mA、50V。
ICP-F20 
Ｆ２０
F。800mA、50V。
ICP-F25 
Ｆ２５
F。1A、50V。
ICP-F38 
Ｆ３８
F。1.5A、50V。
ICP-F50 
Ｆ５０
F。2A、50V。
ICP-F75 
Ｆ７５
F。2.7A、50V。
製品名(Sony) 票印 外形 概要：品種。備考
【2VR-NシリーズIC保護ヒューズ】
ICP-N5 
Ｎ　５
　　☆
TO-92-2pin 250mA、50V。0.1Ω、1/2W。☆=ﾛｯﾄ？：
Ｘ
、
Ｔ
、
Ｍ
、他不明。
ICP-N10 
Ｎ１０
　　☆
〃？ 250mA、50V。
ICP-N15 
Ｎ１５
　　☆
〃？ 600mA 50V。
ICP-N20 
Ｎ２０
　　☆
〃？ 800mA 50V。
ICP-N25 
Ｎ２５
　　☆
〃 1A、50V。
ICP-N38 
Ｎ３８
　　☆
〃？ 1.5A、50V。
ICP-N50 
Ｎ５０
　　☆
〃？ 2A、50V。
ICP-N75 
Ｎ７５
　　☆
〃？ 2.7A、50V。

大東通信機

（Daito）。→HP

マイクロ ヒューズ（大東）
製品名 票印 外形 概要：品種。定格電流。ﾋｭｰｽﾞ抵抗（定格電流の10%以下時）。備考
CMab（大東）
２Ａ↓大９８、部品色=黒
資PDF/19040322。
票印形式： 
①
大②③
7×4.2×H2.7 ﾏｲｸﾛﾋｭｰｽﾞ。定格遮断容量：AC48V、50A。DC76、100Aとあるが意味不明。
　ﾎﾞﾃﾞｨ色=黒。①=定格電流。「大」=製造者名略号。②③=製造年月略号。
CM04 
０.４Ａ
大②③
〃 〃。0.4A
CM05 
０.５Ａ
大②③
〃 〃。0.5A
CM06 
０.６Ａ
大②③
〃 〃。0.6A
CM08 
０.８Ａ
大②③
〃 〃。0.8A
CM10 
１Ａ
大②③
〃 〃。1A
CM13 
１.３Ａ
大②③
〃 〃。1.3A
CM16 
１.６Ａ
大②③
〃 〃。1.6A
CM20 
２Ａ
大②③
〃 〃。2A
CM25 
２.５Ａ
大②③
〃 〃。2.5A
CM32 
３.２Ａ
大②③
〃 〃。3.2A
CM40 
４.０Ａ
大②③
〃 〃。4.0A
CM50 
５.０Ａ
大②③
〃 〃。5.0A
製品名 票印 外形 概要：品種。定格電流、ﾋｭｰｽﾞ抵抗（定格電流の10%以下時）、定格遮断容量。備考
KMCab：マイクロヒューズ（大東）
例：｢　Ｙ｣背景=黒色
資PDF/19040322。
KMC02 
　Ｐ
2.0×1.25×H0.5 ﾏｲｸﾛﾋｭｰｽﾞ。0.2A、1.8Ω。DC24V
KMC025 
　Ｑ
〃 〃。0.25A、1.2Ω。〃
KMC03 
　Ｒ
〃 〃。0.315A、0.75Ω。〃
KMC04 
　Ｓ
〃 〃。0.4A、0.39Ω。〃
KMC05 
　Ｔ
〃 〃。0.5A、0.23Ω。〃
KMC06 
　Ｕ
〃 〃。0.63A、0.19Ω。〃
KMC08 
　Ｖ
〃 〃。0.8A、0.13Ω。〃
KMC10 
　１
〃 〃。1A、88mΩ。〃
KMC13 
　Ｗ
〃 〃。1.25A、70mΩ。〃
KMC14 ¶不明 〃 〃。1.4A、？mΩ。？
KMC16 
　Ｘ
〃 〃。1.6A、49mΩ。DC24V、50A
KMC20 
　２
〃 〃。2A、38mΩ。〃
KMC25 
　Ｙ
〃 〃。2.5A、27mΩ。〃
KMC30 
　３
〃 〃。3.15A、22mΩ。〃
KMC40 
　４
〃 〃。4A、13mΩ。〃
KMC50 
　５
〃 〃。5A、9mΩ。〃
製品名 票印 外形 概要：品種。定格電流、ﾋｭｰｽﾞ抵抗（定格電流の10%以下時）、定格遮断容量。備考
KMDab：マイクロヒューズ（大東）
票印例：「　Ｘ」背景=黒色。
資PDF/19040322。
KMD02 
　Ｐ
1.6×0.8×h0.5 ﾏｲｸﾛﾋｭｰｽﾞ。0.2A、1.3Ω。DC50V、50A
KMD025 
　Ｑ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.25A、0.71Ω。〃
KMD03 
　Ｒ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.315A、0.5Ω。〃
KMD04 
　Ｓ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.4A、0.31Ω。〃
KMD05 
　Ｔ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.5A、0.19Ω。〃
KMD06 
　Ｕ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.63A、0.14Ω。DC32V、50A
KMD08 
　Ｖ
1.6×0.8×h0.5 〃。0.8A、0.1Ω。〃
KMD10 
　１
1.6×0.8×h0.5 〃。1A、72mΩ。〃
KMD13 
　Ｗ
1.6×0.8×h0.5 〃。1.25A、61mΩ。〃
KMD14 ¶不明 1.6×0.8×h0.5 〃。1.4A、？mΩ。？
KMD16 
　Ｘ
1.6×0.8×h0.5 〃。1.6A、42mΩ。DC32V、50A
KMD20 
　２
1.6×0.8×h0.5 〃。2A、35mΩ。〃
KMD25 
　Ｙ
1.6×0.8×h0.5 〃。2.5A、25mΩ。DC24V、50A
KMD30 
　３
1.6×0.8×h0.5 〃。3.15A、22mΩ。〃

セイコーNPC㈱（旧：日本プレシジョン･サーキッツ）

（NPC）。→HP

IC（NPC）
製品名(NPC) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
SM6503A（NPC）
SM6503AD ¶記載無 6pin SON 
   DIO5 Vss DIO4
(1)DIO1 DIO2 DIO3
ESD保護D。VZF=7.5V、VZR=-7.5V。各Dは、「─[K A]─[A K]─」となっている。
SM6503AH ¶記載無 SOT23-6 〃 〃

富士通

(Fujitsu)。富士通セミコンダクター→HP

ダイオード（D）／富士通
製品名(富士通) 票印 外形 配置 概要：品種。VR、IF。備考
FC51M 
K A
VCD。FM同調、AFC、CONV。15V。
FC52M 
K A
VCD。FM同調、AFC、CONV。15V。
FC53M 
K A
VCD。FM同調、AFC、CONV。15V。
FC54M 
K A
VCD。FM同調、AFC、CONV。15V。
FC63M 
K A
VCD。AM同調。15V。
FC66M 
A K
VCD。AM同調。30V。
IC（富士通）
製品名(富士通) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
FMM5024ML 
ＦＨＦＨ
　 AGC。※ﾚﾃﾞｨｵ
FMM5023MU 
５０２３
SSOP8 AGC。※ﾚﾃﾞｨｵ
MB3776AP DIP8
MB3776APF ¶記載無 SOP8 
FB　OSC GND OUT
-IN CTL Vcc Is
Bip。Sw-Reg-Ctrl。PWM。絶Io=±50mA。動Vcc=2～15V。
MB3776APNF SOL8 Bip。Sw-Reg-Ctrl。
MB3776APFV SSOP8 Bip。Sw-Reg-Ctrl。
MB3800FP ¶記載無 SOP8 
FB　OSC GND OUT
-IN SCP Vcc BR/CTL
Bip。Sw-Reg-Ctrl。絶Io=±50mA。動Vcc=1.8～15V。
MB3800PNF SOL8 Bip。Sw-Reg-Ctrl。
MB3800FPV SSOP8 Bip。Sw-Reg-Ctrl。
MB54608L 　 SSOP20 MOD.※ﾚﾃﾞｨｵ
MB54608L 
５４６０８Ｌ
BCC16 MOD.※ﾚﾃﾞｨｵ
MB54609 SSOP20 ※ﾚﾃﾞｨｵ
MB15U11 
１５７１１
　 PLL。※ﾚﾃﾞｨｵ
MB15C1xx 
Ｃ１ｘｘ
SOP8/BCC PLL。300M。※ﾚﾃﾞｨｵ
MB15ExxSL 　 PLL。2.5G。※ﾚﾃﾞｨｵ
MB15FxxSL 　 PLL。2.5G。※ﾚﾃﾞｨｵ

松尾電機㈱

(NCC)。→HP

回路保護部品（松尾）
製品名 票印 外形 概要：品種。備考
JADx…（松尾）
3.2×1.6×h1.6
票印形式不明：「１．０」「２．０」と表示されている
□□＝包装状態（NA=φ180リール、ND=φ330リール） 資PDF/20030903。
JAD 2402 501 □□010 
０．５
3.2×1.6 ﾏｲｸﾛﾋｭｰｽﾞ。定格電流=0.5A、内部抵抗=210mΩ。定格電圧=24VDC。
JAD 2402 801 □□010 
０．８
〃 〃。0.8A、127mΩ。〃
JAD 2402 102 □□010 
１．０
〃 〃。1.0A、92mΩ。〃
JAD 2402 132 □□010 
１．２５
〃 〃。1.25A、69mΩ。〃
JAD 2402 162 □□010 
１．６
〃 〃。1.6A、54mΩ。〃
JAD 2402 202 □□010 
２．０
〃 〃。2.0A、44mΩ。〃
JAD 2402 252 □□010 
２．５
〃 〃。2.5A、36mΩ。〃
JAD 2402 322 □□010 
３．１５
〃 〃。3.15A、25mΩ。〃
JAD 2402 402 □□010 
４．０
〃 〃。4.0A、20mΩ。〃

三菱電機

（Mitsubishi）。現在ルネサス テクノロジ社に融合。本記載は旧三菱電機の分のみ。現在の三菱電機はパワーデバイスが主なので記載しない。→HP

トランジスター（Tr）（三菱）
製品名(三菱) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
2SC3052 
ＬＦ
SC-59 ｲｻﾊﾔ電子(三菱の引継)…らしいnet/19041001。(三菱)
2SC3053 
Ｆ□
＝
ＦＢ
、
ＦＣ
、
ＦＤ
 RF、IF、OSC、MIX、CONV。25V、30mA。(三菱)
2SC4258 
Ｆ□
＝
ＦＢ
、
ＦＣ
、
ＦＤ
 RF、IF、OSC、MIX、CONV。25V、30mA。(三菱)
2SC5477 
ＳＷ
 RF。VCEOO=20V、50mA。(三菱)
2SC5547 
ＡＤ
 CRT。15V、50mA。(三菱)
2SC5619 
ＧＷ
 TVﾁｭｰﾅｰ、通信機携帯電話。15V、50mA。(三菱)
2SC5620 
ＧＷ
 TVﾁｭｰﾅｰ、通信機携帯電話。15V、50mA。(三菱)
2SC5626 
ＳＷ
 RF。20V、50mA。(三菱)
FET（三菱）
製品名(三菱) 票印 外形 配置 概要：品種。VDSS、ID。備考(ﾒｰｶｰHP公開での表のRDSは、単位がmΩのがあるので不正確)。備考
FY10AAJ-03 
１０ＡＪＨ
SOP8 Nch-SW。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY10AAJ-03F 8P2S MOS-FET。30V、10A、VGSS=±20。RDS=13Ω。
FY12AAJ-03F 8P2S MOS-FET。30V、12A、VGSS=±20。RDS=8Ω。
FY14AAJ-03F 8P2S MOS-FET。30V、14A、VGSS=±20。RDS=6Ω。
FY3ABJ-03 
３ＢＪＨ
SOP8 Pch-SW。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY3ACJ-03F 8P2S MOSSFET？。30V、3A、VGSS=±20。RDS=50Ω。
FY4ADJ-03A 8P2S MOSSFET？×2。-30V、-4A、VGSS=±20。RDS=60Ω。
FY4AEJ-03 8P2S MOSSFET？×2。±30V、±4A、VGSS=±20。RDS=23/60Ω。
FY5ACJ-03F 8P2S MOSSFET？×2。30V、5A、VGSS=±20。RDS=21Ω。
FY6ACJ-03A 8P2S MOSSFET？×2。30V、6A、VGSS=±20。RDS=17Ω。
FY6BCH-02 TSSOP8 Pch-SW。6A。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY6BCH-02E TSSOP8 Pch-SW。6A。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY7AAJ-03 
７ＡＪＨ
SOP8 Nch-SW。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY7BCH-02A TSSOP8 Pch-SW。7A。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY7BCH-02E TSSOP8 Pch-SW。7A。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY7BCH-02C 8P2J MOS-FET×2。20V、7A、VGSS=±10。RDS=17Ω。
FY7BCH-02F 8P2J MOS-FET×2。20V、7A、VGSS=±10。RDS=17Ω。
FY8AAJ-03F 8P2S MOS-FET。30V、8A、VGSS=±20。RDS=22Ω。
FY8ABJ-03 
８ＢＪＨ
SOP8 Pch-SW。※ﾚﾃﾞｨｵ
FY8ABJ-03 
８ＢＪＷ
　６２１
¶写真 		8P2S
(5.0× 
D D D D
S S S G
MOS-FET。-30V、-8A、VGSS=±20。RDS=14mΩ。D→SにD有。
抵抗内蔵トランジスタ（三菱）
製品名(三菱) 票印 外形 配置 概要：品種。備考
？ 
Ｎ１
SC-59 三菱らしいnet/19041001(三菱)
？ 
ＰＧ
SC-59 三菱らしいnet/19041001(三菱)